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该场效应管为N沟道与P沟道集成的功率MOSFET，N沟道部分具有100V漏源电压（VDSS）、10A连续漏极电流（ID）及70mΩ导通电阻（RDON），栅源电压范围支持±20V。器件具备较高的电压耐受能力，适用于中等功率的开关电源和直流功率控制电路。双沟道结构可用于半桥或互补输出拓扑，实现高效的电压切换与功率调节。典型应用包括便携式设备的电池管理系统、小型化电源适配器、无线充电发射模块的驱动电路以及需要双向控制的负载开关设计，满足对集成度和可靠性要求较高的场景。
