HXYT40N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):40A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):650V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V
参数4: 二极管正向电流(IF):40A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT具备650V集射极击穿电压(Vces),可承受较高电压应力,适用于中高功率开关应用。在导通状态下,集电极电流(Ic)可达40A,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有助于降低导通损耗。内置反并联二极管,正向电流(If)同样为40A,正向压降(Vf)1.8V,支持高效续流功能。器件适用于高频逆变、开关电源、电机驱动等电力电子电路,作为核心开关元件,实现电能的精确控制与高效转换,满足对功率密度与系统效率有要求的设备设计需求。

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