HXY1216BF_DFN2X2B-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2B-6L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: ID:16A
参数2: VDSS:15V
参数3: RDON:11mR
参数4: VGS:12V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款P沟道场效应管,具有15V的漏源电压(VDSS)和12V的栅源电压(VGS)能力,适用于中低电压开关场景。其连续漏极电流(ID)可达16A,导通电阻(RDON)低至11mΩ,有助于减少导通损耗,提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中发热量较小,工作稳定。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关以及各类直流电源控制电路,适合对导通损耗敏感的高效率设计需求,是理想的功率开关选择。

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