HXYS120N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247H-4L
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:120A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:15mR
参数4: VGS:15V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压(VDSS)和120A连续漏极电流(ID),导通电阻低至15mΩ,栅源电压为15V,适用于高功率密度电源转换系统。采用碳化硅材料,具有优异的高频开关能力与热导性能,可显著降低开关损耗与温升。器件适用于高效直流-直流变换器、高压逆变装置、储能系统中的功率调节模块以及大功率开关电源设计。其快速体二极管响应与高耐压特性,有助于提升系统能效与动态响应能力,适合对电气性能和长期稳定性要求较高的应用场景。

Baidu
map