HXYS22N90MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:22A
参数2: VDSS:900V
参数3: RDON:120mR
参数4: TYPE:N-ch
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有900V的漏源击穿电压,支持22A的连续漏极电流,导通电阻为120毫欧。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的高频开关能力与高温稳定性,可显著降低开关损耗,提升系统能效。适用于高密度电源转换设计,如大功率开关电源、高压DC-DC变换器及高效逆变装置,尤其适合对散热性能和转换效率要求较高的紧凑型电力电子系统。

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