HXYT140N120MPC_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247P
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):140A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):1200V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V
参数4: 二极管正向电流(IF):140A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT模块具有140A的集电极电流承载能力,集射极击穿电压高达1200V,适用于高电压工作环境。其集射极饱和电压为1.55V,配合额定140A的反并联二极管(正向压降2.01V),可支持大电流双向导通需求。器件具备较强的耐压与热稳定性,适用于高压直流变换、逆变电源及大功率能量管理系统中的开关与续流环节,能够满足对效率和可靠性要求较高的电力电子拓扑结构应用。

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