HXYT50N120MPC_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247P
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):50A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):1200V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V
参数4: 二极管正向电流(IF):50A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT具备50A的集电极电流和1200V的集射极击穿电压,适用于高电压、大电流工作环境。其集射极饱和电压为1.9V,有助于降低导通损耗,提升系统效率。内置反并联二极管具有50A正向电流能力,正向压降为2.7V,可有效支持续流和能量回馈操作。该器件适用于中高功率电力变换装置,如逆变电源、开关电源、太阳能逆变系统及电机驱动单元,能够满足对热稳定性与开关性能要求较高的应用场景。

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