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该场效应管为N沟道与P沟道组合的功率MOSFET，N沟道部分具备40V漏源耐压（VDSS）、10A连续漏极电流（ID）及17mΩ导通电阻（RDON），栅源电压最高支持20V。器件采用双沟道设计，适用于需要双向开关或互补驱动的电路拓扑。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提升转换效率，常用于直流-直流变换模块、便携式设备的电源管理单元以及电池供电系统的充放电控制电路。双极性结构可简化同步整流或H桥驱动方案的设计，满足对空间和能效有要求的应用需求。
