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该P沟道场效应管具有-20V的漏源电压（VDSS）和-0.8A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）典型值为350mΩ，在栅源电压（VGS）为-12V时表现稳定。器件适用于低电压开关应用，可用于电源管理电路中的极性保护、负载开关或电池供电设备中的信号通断控制。其较小的导通电阻有助于降低功耗，提高系统能效，适合对空间和效率有要求的便携式电子产品。
