HXYT15N65F_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: IGBT管/模块
最小包装: 50/管装
参数1: 集电极电流(Ic):15A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):650V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V
参数4: 二极管正向电流(IF):15A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT器件具备15A的集电极连续电流能力,可承受最高650V的集射极电压,适用于中高功率开关场景。其集射极饱和电压为1.79V,在额定工况下导通损耗可控,有助于提升系统能效。内置反并联二极管具有15A正向电流承载能力,正向压降为1.68V,可有效支持续流需求。该器件适用于各类电力变换装置,如逆变电源、开关电源及电机驱动电路,能够满足对高可靠性与稳定电气性能要求较高的应用。

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