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该场效应管为NP沟道组合器件，适用于需要双向控制或互补开关的电路设计。其漏极电流ID为3A，漏源电压VDSS达20V，满足中低功率应用需求。导通电阻RDON低至43mΩ，有助于降低导通损耗，提升能效。栅源电压VGS最大为12V，便于与常见逻辑电平驱动电路匹配。器件集成N沟道与P沟道单元，可简化布局，常用于电源管理、负载开关、H桥驱动及便携式设备中的信号切换等场景。