HESDNC8VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:6A
参数2: VRWM:8V
参数3: CJ:10pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该ESD保护器件采用单通道双向设计,适用于对极性变化瞬态电压的防护。反向工作电压(VRWM)为8V,可兼容多种低压信号线路的保护需求。10pF的低结电容有助于维持高速信号完整性,减少传输失真。在6A峰值脉冲电流(IPP)条件下具备良好箝位能力,能有效吸收静电放电和瞬态浪涌能量。双向结构使其可应对正负双向瞬态干扰,常用于通信接口、便携设备及消费类电子产品中的信号线保护,提升系统可靠性。

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