HXYS7N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:7A
参数2: VDSS:1200V
参数3: RDON:320mR
参数4: TYPE:N-ch
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压,支持7A的连续漏极电流,导通电阻为320mΩ。采用碳化硅材料,具备优异的开关特性和高温稳定性,可有效降低开关损耗与系统热耗散。其高耐压与紧凑设计适合对空间和能效有要求的电力电子电路。典型应用场景涵盖高压直流变换器、高性能电源模块以及可再生能源发电系统的功率转换环节,适用于追求高效率与长期运行稳定性的电路设计方案。

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