HXY4N50D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: ID:4A
参数2: VDSS:500V
参数3: RDON:2400mR
参数4: VGS:30V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备500V高漏源耐压,连续漏极电流为4A,导通电阻为2400mΩ,在30V栅源电压下可实现稳定开关控制。器件适用于高压功率开关应用,具备良好的热稳定性和击穿裕量。其高耐压特性适合用于离线式电源转换电路,如反激变换器、高压侧开关及直流高压负载的驱动控制。典型应用场景包括开关电源的功率级、高压LED照明驱动、适配器中的主开关管以及需要直接接入高压母线的功率控制模块,满足对电气隔离与安全裕度要求较高的设计需求。

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