HXYG80N10NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: ID:80A
参数2: VDSS:100V
参数3: RDON:6.4mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管具有100V漏源电压额定值,可承载80A连续漏极电流,导通电阻低至6.4mΩ,栅源电压最大支持20V。低RDSON显著减少导通损耗,提升系统能效。器件具备优良的开关速度与热稳定性,适用于高电流密度的直流-直流转换电路。其参数特性适合用于高性能电源管理模块、大功率适配器及储能系统的功率控制单元。在需要高效能、低发热与紧凑布局的电子设计中,可作为关键开关元件实现可靠的电力转换功能。

Baidu
map