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该氮化镓晶体管为N沟道增强型高电子迁移率器件，具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可持续承载17A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）低至100mΩ，有助于降低开关与导通损耗，提升系统能效。得益于氮化镓材料的高频特性，该器件适用于高频率、高效率的电源转换拓扑，如高效AC-DC功率因数校正、DC-DC变换器以及射频能量应用，可有效减小磁性元件与电容体积，实现紧凑型电源系统设计。