HXY90P03NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: ID:90A
参数2: VDSS:30V
参数3: RDON:3.5mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款P沟道场效应管,具有30V的漏源电压(VDSS)和20V的栅源电压(VGS)能力,最大连续漏极电流可达90A,适用于中高功率开关应用。其导通电阻低至3.5mΩ,在同类器件中表现出较好的导电性能,有助于减少工作时的热量积聚。该器件适用于需要高效能功率控制的电路设计,如电源管理模块、直流电机驱动以及负载开关电路,能够满足对空间和能效有较高要求的电子产品设计需求。

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