HXYT40N120MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):40A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):1200V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.7V
参数4: 二极管正向电流(IF):40A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT模块具有40A的集电极连续电流能力,集射极击穿电压达1200V,适用于高电压耐受需求的功率转换场合。其集射极饱和电压为1.7V,在额定工况下导通损耗较低,有助于提升系统能效。模块内置反并联二极管,可承载40A正向电流,二极管正向压降为1.85V,具备良好的续流性能。该器件结合了较高的电压阻断能力与稳定的通态特性,适用于大功率开关电源、高压逆变装置、可再生能源发电系统及大电流电机驱动单元,能够在高频开关与高温环境下提供可靠的功率控制功能。

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