HXY33N10P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:33A
参数2: VDSS:100V
参数3: RDON:30mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本款N沟道场效应管具有100V漏源电压(VDSS)和33A连续漏极电流(ID),导通电阻低至30mΩ,有效减少导通损耗,提升系统效率。栅源电压范围为±20V,支持标准驱动电平。器件具备优良的开关特性和热性能,适用于中压大电流功率转换场景,如高密度开关电源、同步整流模块、电动设备电源管理单元及高效DC-DC变换器。其低电阻与高电流能力有助于简化散热设计,适合对能效和功率密度有要求的高性能电子系统应用。

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