HXYT60N120MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):60A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):1200V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V
参数4: 二极管正向电流(IF):60A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT具备1200V集射极击穿电压,可承受较高电压应力,适用于高功率转换场合。集电极电流为60A,集射极饱和电压为1.65V,具备较低的导通损耗。内置续流二极管,正向电流与集电极电流匹配,达60A,正向压降为2.35V,有助于提升续流效率。器件在高电压、大电流条件下表现出良好的开关特性与导通性能,适用于需要直流到交流或交流到直流电能转换的装置,如电源逆变、电机驱动与能量回馈系统等场景。

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