HESDNC12VB2I-C_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:5A
参数2: VRWM:12V
参数3: CJ:12pF
参数4: LINE:2-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电与浪涌保护器件采用双通道双向设计,适用于多线路信号防护。反向工作电压(VRWM)为12V,可承受5A的峰值脉冲电流(IPP),具备良好的瞬态电压抑制能力。每通道结电容(CJ)低至12pF,有利于减少信号失真,适合用于高速数据传输接口的ESD保护。双向结构能有效应对正负双向瞬态干扰,广泛应用于便携式电子设备和通信模块中的电源轨、数据线及I/O端口的过压防护,提升系统运行的稳定性与可靠性。

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