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该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源电压（VDSS）和32A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至75mΩ，在15V栅源电压下可实现高效开关。采用宽禁带半导体材料，具有优异的耐压能力与热稳定性。适用于高功率密度电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换器及储能系统的功率因数校正电路，可提升系统整体能效与工作频率，减小无源器件体积，满足严苛工况下的长期可靠运行需求。