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该N沟道碳化硅MOSFET具有5A连续漏极电流和1700V的漏源击穿电压，适用于高电压隔离与功率转换场景。其导通电阻为800mΩ，在高温与高频工作条件下仍能保持较低导通损耗。栅源额定电压达±22V，具备较强的驱动稳定性与抗干扰能力。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的开关速度与热性能，可应用于高压直流变换、高效电源模块、可再生能源逆变装置及紧凑型电力电子系统，适合对功率密度与能效要求较高的设计需求。