HXY50N06NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: ID:50A
参数2: VDSS:60V
参数3: RDON:12mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备60V漏源电压(VDSS)和20V栅源电压(VGS)耐受能力,适用于中高电压功率场景。其连续漏极电流为50A,导通电阻典型值为12mΩ,有助于减少大电流下的功率损耗,提高系统整体能效。器件具有优异的开关速度与热稳定性,适用于直流电源变换、电池供电设备的功率控制、开关电源模块以及高效率电机驱动电路,可满足多种高性能功率管理需求。

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