-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅场效应管（SiC MOSFET）具备1200V的高漏源电压（VDSS）和117A的连续漏极电流能力，导通电阻仅为33mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐压性能与高温工作稳定性，同时降低开关损耗，提升系统能效。适用于高功率密度电源转换装置，如大功率开关电源、高压直流变换器、储能系统中的逆变电路以及可再生能源发电设备的功率级设计，适合在高频、高电压条件下实现高效电能转换，是先进电力电子系统中的关键开关元件。
