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本款N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和97A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至25mΩ，有效降低导通损耗。采用宽禁带半导体材料碳化硅，具备优异的高频开关性能与高温工作稳定性。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、高压直流变换器及大功率射频能量应用，可显著提升系统整体能效并减小散热设计负担，是现代高效率电力电子电路中的关键器件。
