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该N沟道场效应管具有200V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻为220mΩ，最大栅源电压可达20V。器件具备良好的开关特性和较高的耐压能力，适用于中等功率的电源管理系统。其结构设计有助于降低导通损耗，提高能效，在直流电机驱动、高精度电源转换电路及电池供电设备的功率控制模块中表现稳定。适合在需要可靠开关动作与热性能均衡的应用场景中使用。