HXYS36N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:36A
参数2: VDSS:1200V
参数3: RDON:80mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的漏源击穿电压,连续漏极电流达36A,导通电阻为80毫欧,栅源额定电压为±20V,具备较强的电压耐受能力。依托碳化硅材料优势,器件支持高频开关操作,具备较低的导通与开关损耗,热稳定性良好。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统,如大功率开关电源、高压直流变换模块及可再生能源发电中的逆变单元,适合对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。

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