HXY70N07D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: ID:80A
参数2: VDSS:60V
参数3: RDON:6mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压(VDSS)和20V的栅源电压范围(VGS),持续漏极电流可达80A(ID),导通电阻低至6mΩ。器件具备优异的电流传导能力与低功耗特性,适用于高电流开关电路。其极低的导通电阻有效减少工作时的热量积累,提升系统能效。常用于高性能电源管理单元、便携式大功率设备、电动工具驱动电路及大电流DC-DC转换模块,适合对导通损耗敏感、要求高效率功率控制的电子系统应用。

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