HESDHC4V5B2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:240A
参数2: VRWM:4.5V
参数3: CJ:1000pF
参数4: LINE:2-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为双通道双向静电与浪涌保护阵列,专为高速信号线路防护设计。其工作反向截止电压为4.5V,满足低电压接口需求;在8/20μs电流波形下,最大通流能力达240A,可有效抑制瞬态过应力。结电容典型值为1000pF,适用于对信号完整性要求较高的数据传输场景。双向击穿特性使其能应对正负交替的瞬态干扰,广泛用于通信模块、便携式设备及多路信号接口的可靠防护。

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