HXY40N02D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: ID:40A
参数2: VDSS:20V
参数3: RDON:7.5mR
参数4: VGS:12V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有20V漏源电压(VDSS)和12V栅源电压(VGS)规格,适用于低电压大电流开关场景。其连续漏极电流可达40A,导通电阻低至7.5mΩ,有助于减少功率损耗并提高系统整体能效。器件具备优异的热稳定性和快速开关响应特性,适合用于高密度电源转换、便携式电子设备的功率控制、电池管理系统以及各类直流变换电路,满足对小型化与高效率有要求的应用需求。

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