HXYT100N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):100A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):650V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V
参数4: 二极管正向电流(IF):100A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT具备100A的集电极连续电流能力,可承受最高650V的集射极电压,适用于中高功率场景。其集射极饱和电压为1.45V,配合内置续流二极管(正向电流100A,正向压降1.55V),有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件在高频率开关应用中表现出良好的热稳定性和电流处理能力,适合用于电源转换、能量变换及电机驱动等电路设计,满足对功率密度与可靠性要求较高的需求。

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