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该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗，同时具有良好的热导性能和稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，可在严苛电气环境下维持可靠运行。