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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为218A，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和较低的能量损耗。其宽栅压范围提升了与多种驱动电路的适配能力，同时具备良好的热稳定性和高效率表现，适用于对功率处理能力和系统紧凑性要求较高的电力电子应用。