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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，器件在高频开关和高效率功率转换场景中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源系统。