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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其结构基于碳化硅半导体材料，具有较高的开关速度和较低的导通损耗，在高频运行条件下仍能维持良好的效率与热性能。适用于对功率密度、转换效率及长期稳定性有明确要求的电源系统，尤其适合在紧凑型高电压应用场景中使用。