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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，具备优异的高频开关性能与高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源逆变器等场景，能够有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。