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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达18A，导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电场强度与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。