-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件依托碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，在高频开关应用中可实现高效能转换，适用于通信设备电源、光伏逆变系统以及高密度开关电源等对效率与体积有严苛要求的场合。