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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.3A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至!9V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。