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该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ。栅源电压范围为-8V至@0V，支持较宽的驱动条件，有助于提升开关控制的可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作时仍能保持较低的开关与导通损耗，适用于对效率、热管理及功率密度有较高要求的电力电子系统。