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该N沟道碳化硅MOSFET具备210A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为11mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，器件在高功率密度和高频开关条件下仍能保持低损耗与优异的热稳定性，适用于对效率、体积和动态响应要求严苛的电源转换系统。