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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）、650V的漏源击穿电压（VDSS）和20mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。