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该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热性能，适用于高效率电源转换系统，如通信电源、光伏逆变器及高频DC-DC变换器等场景。