-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。其参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积和能效有较高要求的电力电子装置中，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。