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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用。