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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备，能够在严苛电气环境中保持稳定性能，并支持多种驱动方案。