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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与热稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备中可实现低损耗运行。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性，适用于对开关速度和能效有严苛要求的应用场合。