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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。其宽VGS范围增强了驱动兼容性，可在多种拓扑结构中实现稳定可靠的开关操作。
