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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为9A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和开关性能要求较高的电力转换场景，可在高频工作条件下保持稳定输出，适合用于电源管理、可再生能源系统及高密度功率变换等应用领域。